ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究

dations ◷ 2024-03-14 17:30:09
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研究背景: 氟碳膜(a-C:F:H)因其优异的化学稳定性、耐磨损性和低摩擦性而在多个领域具有广泛应用。在制备过程中,热退火是一个重要的步骤,可以改善膜的性能。本研究使用电子回旋共振-化学气相沉积(ECR-CVD)法制备了a-C:F:H薄膜,并对其在N2气氛中的热退火效应进行了研究。

实验方法: 首先,使用ECR-CVD法在Si基底上制备了a-C:F:H薄膜。然后,将样品置于热退火炉中,在N2气氛中进行退火处理。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的表面形貌和化学组成进行了表征。同时,使用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶体结构。最后,通过硬度测试和摩擦系数测试评价了薄膜的性能。

实验结果: 经过热退火处理后,a-C:F:H薄膜表面出现了明显的结晶化,XRD图谱显示出新的晶体衍射峰。SEM和TEM观察表明,薄膜表面出现了颗粒状的晶体结构。XPS分析显示,薄膜中的氟含量有所下降,而碳含量有所增加,表明热退火过程中发生了化学组成的改变。硬度测试结果显示,经过热退火处理后的薄膜硬度有所提高,摩擦系数有所降低。

讨论与结论: 研究结果表明,N2气氛中的热退火可以改善a-C:F:H薄膜的性能,提高其硬度和降低摩擦系数。这种改善可能与薄膜表面的结晶化有关,结晶结构可能具有更好的耐磨损性和化学稳定性。因此,热退火可以作为制备a-C:F:H薄膜的重要工艺步骤,有助于提高薄膜在实际应用中的性能和稳定性。

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